Effect of rf power on remote plasma-deposited SiO sub 2 films

Properties of SiO sub 2 films deposited by low-temp., PECVD improve as rf power to plasma discharge is increased. 25 refs.

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of applied physics 1993-01, Vol.73 (11), p.7635-7642
Hauptverfasser:	Hattangady, S V, Alley, R G, Fountain, G G, Markunas, R J, Lucovsky, G, Temple, D
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Properties of SiO sub 2 films deposited by low-temp., PECVD improve as rf power to plasma discharge is increased. 25 refs.
ISSN:	0021-8979