Modification of the dielectric properties of parylene films by ion implantation

Dielectric properties of normally insulating Parylene C films were measured before and after chloride and argon ion irradiation. Bulk dielectric constants increased from 2.8 to approximately 15 - 20 after an ion flux of 10 16 Cl + or Ar + ions cm -2. Bulk conductivity and dielectric losses also incr...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Surface & coatings technology 1990, Vol.41 (2), p.205-209
Hauptverfasser: Binder, Michael, Mammone, Robert J.
Format: Artikel
Sprache:eng
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!