Modification of the dielectric properties of parylene films by ion implantation
Dielectric properties of normally insulating Parylene C films were measured before and after chloride and argon ion irradiation. Bulk dielectric constants increased from 2.8 to approximately 15 - 20 after an ion flux of 10 16 Cl + or Ar + ions cm -2. Bulk conductivity and dielectric losses also incr...
Gespeichert in:
Veröffentlicht in: | Surface & coatings technology 1990, Vol.41 (2), p.205-209 |
---|---|
Hauptverfasser: | , |
Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Schreiben Sie den ersten Kommentar!