First observation of the EL2 lattice defect in indium gallium arsenide grown by molecular-beam epitaxy

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Physical review letters 1992-04, Vol.68 (14), p.2168-2171
Hauptverfasser:	IRVINE, A. C, PALMER, D. W
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Condensed matter: electronic structure, electrical, magnetic, and optical properties Electron states Exact sciences and technology Impurity and defect levels Physics
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