Effects of oxygen flow ratio and thermal annealing on defect evolution of aluminum doped zinc oxide thin films by reactive DC magnetron sputtering

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Veröffentlicht in:	Journal of physics. Condensed matter 2021-11, Vol.33 (46), p.465703
Hauptverfasser:	Liu, Chao Ping, Li, Zhan Hua, Egbo, Kingsley O, Kwok, Cheuk Kai, Lv, Xiao Hu, Ho, Chun Yuen, Wang, Ying, Yu, Kin Man
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	aluminum doped zinc oxide defect evolution Hall effect measurement optoelectrical properties spectroscopic ellipsometry x-ray photoelectron spectroscopy
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