Impacts of HfZrO thickness and anneal temperature on performance of MoS2negative-capacitance field-effect transistors

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Nanotechnology 2021-10, Vol.32 (44)
Hauptverfasser:	Tao, Xinge, Liu, Lu, Yang, Lei, Xu, Jing-Ping
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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