High mobility field-effect transistors based on MoS2crystals grown by the flux method

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Nanotechnology 2021-08, Vol.32 (32)
Hauptverfasser:	Patil, Vilas, Kim, Jihyun, Agrawal, Khushabu, Park, Tuson, Yi, Junsin, Aoki, Nobuyuki, Watanabe, Kenji, Taniguchi, Takashi, Kim, Gil-Ho
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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