An InGaAsP/InP double-heterojunction bipolar transistor for monolithic integration with a 1.5-micron laser diode

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 1985-01, Vol.EDL-6, p.14-17
Hauptverfasser:	Su, L M, Grote, N, Kaumanns, R, KATZSCHNER, W, Bach, H G
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!