Study of carrier trapping in stacked dielectrics
Polysilicon/silicon-nitride/thermal-oxide/n-Si (SNOS) and polysilicon/oxide/silicon-nitride/thermal,oxide/n-Si (SONOS) capacitors were fabricated with various nitride thicknesses. It is shown that formation of an oxide layer on the nitride (NOX) reduces current conduction by more than two orders of...
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Veröffentlicht in: | IEEE electron device letters 1986-08, Vol.7 (8), p.486-489 |
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Hauptverfasser: | , |
Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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