Effects of Excitation Intensity on Photoluminescence of Pure CdTe

The photoluminescence of high purity n‐type CdTe single crystals (n ≈ 2.9 × 1014 cm−3) at liquid helium temperature is studied at different excitation intensities. Emissions due to the recombination of free excitons and excitons bound to neutral donors, ionized donors, and neutral acceptors are discussed as well as the transitions of free carriers to various impurities. Other impurity related spectral features are observed within the range of 120 meV from the band edge and their origin is described in analogy to the present knowledge of the spectra of III‐V and other II‐VI compounds. Photolumineszenzspektren von reinem CdTe (Elektronenkonzentration ≈ 2,9 × 1014 cm−3) werden bei Heliumtemperatur und in Abhängigkeit von der Anregungsintensität gemessen. Die Emissionen, die auf Rekombinationen von freien Exzitonen, Exzitonen an neutralen und ionisierten Donatoren und an neutralen Akzeptoren zurückzuführen sind, und solche, die auf Übergänge freier Ladungstrager an Störstellen zurückzuführen sind, werden diskutiert. Andere Teile der Spektren (bis zu 120 meV von der Bandkante) werden in Analogie zu Spektren von III‐V und anderen II–VI Verbindungen interpretiert.