Enhanced Photoinduced Carrier Generation Efficiency through Surface Band Bending in Topological Insulator Bi2Se3 Thin Films by the Oxidized Layer

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:ACS applied materials & interfaces 2020-06, Vol.12 (23), p.26649-26658
Hauptverfasser: Hong, Seok-Bo, Kim, Dae-Kyoung, Chae, Jimin, Kim, Kiwoong, Jeong, Kwangsik, Kim, Jonghoon, Park, Hanbum, Yi, Yeonjin, Cho, Mann-Ho
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:1944-8252
DOI:10.1021/acsami.0c05165