Trapping of positrons by thermally induced vacancies in tin

From the temperature dependence of the positron annihilation lineshape parameter it is concluded that positrons are trapped by thermally induced vacancies in tin. The vacancy formation enthalpy is deduced as being H 1vF = (0.51 ± 0.02) eV (from the threshold temperature) and H 1vF = (0.54 ± 0.03) eV...

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Veröffentlicht in:Physica status solidi. A, Applied research Applied research, 1980-06, Vol.59 (2), p.543-546
Hauptverfasser: Segers, D., Dorikens-Vanpraet, L., Dorikens, M.
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:From the temperature dependence of the positron annihilation lineshape parameter it is concluded that positrons are trapped by thermally induced vacancies in tin. The vacancy formation enthalpy is deduced as being H 1vF = (0.51 ± 0.02) eV (from the threshold temperature) and H 1vF = (0.54 ± 0.03) eV (from the trapping model). Aus der Temperaturabhängigkeit der Linienformparameter der Positronenannihilation wird geschlossen, daß Positronen durch thermisch induzierte Leerstellen in Zinn eingefangen werden. Die Bildungsenthalpie der Leerstellen wird zu H 1vF = (0,51 ± 0,02) eV (aus der Schwellentemperatur) und H 1vF = (0,54 ± 0,03) eV (aus dem Haftstellenmodell) abgeleitet.
ISSN:0031-8965
1521-396X
DOI:10.1002/pssa.2210590215