Selective MOCVD epitaxy for optoelectronic devices

Integrated circuits require the monolithic integration of injection laser sources with a fabrication process which must be compatible with the integration of the other devices. In particular, the problem of producing mirror faces without the usual cleaving process must be solved. Mirrors formed by c...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of crystal growth 1981-01, Vol.55 (1), p.229-234
Hauptverfasser:	Azoulay, R., Bouadma, N., Bouley, J.C., Dugrand, L.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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