Impact ionization of excited states of shallow impurities in n-InSb

At a temperature of 0.37 K structures are observed in the current–voltage characteristics of n‐InSb (NI = 3 × 1015 cm−3) at electric fields in the range 1 to 10 V/cm and at magnetic fields above 7 T. This is related to the impact ionization of excited impurity levels. The disappearence of this structure at lower magnetic fields and at higher temperatures is explained by an increasing broadening of the impurity energy levels with increasing temperature. Bei einer Temperatur von 0,37 K werden in der Strom–Spannungs‐Kennlinie von n‐InSb (NI = 3 × 1015 cm−3) Strukturen im elektrischen Feldbereich 1 bis 10 V/cm und in Magnetfeldern über 7 T beobachtet. Dies wird mit der Stoßionisation von angeregten Fremdatomniveaus in Bezug gebracht. Das Verschwinden dieser Strukturen bei niedrigeren Magnetfeldern bzw. höheren Temperaturen wird durch eine Zunahme der Verbreiterung der Fremdatomenergieniveaus erklärt.