On the quaternary NGa-NAl-NAs-NGe phase diagram

It was stated that the thickness of Ge‐doped GaAs‐ and AlxGa1−xAs epitaxial layers, respectively, grown by equilibrium cooling from a gallium rich flux, varies with the Ge concentration in the liquid phase. This relationship was applied to calculate an quaternary Ga‐Al‐As‐Ge phase diagram by means of the law of mass action. Bei der Züchtung von AlxGa1−xAs‐Epitaxieschichten (x = 0…0.6) mit Hilfe der Flüssigphasenepitaxie (equilibrium cooling) konnte eine Verringerung der Schichtdicke mit steigendem Germaniumgehalt nachgewiesen werden. Die sich daraus ergebende Abnahme der NAs‐Konzentration kann mit den bisher publizierten thermodynamischen Parametern für das quaternäre Phasendiagramm NGe–NAs–NAl–NGe nicht erklärt werden. Auf der Basis des Massenwirkungsgesetzes wird durch Anpassung des Wechselwirkungskoeffizienten für Germanium (γGe) eine Beschreibung des Wechselwirkungskoeffizienten für Germanium (γGe) eine Beschreibung für das experimentell ermittelte NGa–NAs–NAl–NGe‐Phasendiagramm gegeben.