Mechanisms of Current Carrier Scattering in ZnxHg1-xSe

The molar (vs. x), temperature and concentration dependences of mobility U = σR in ZnxHg1–xSe solid solutions with degenerate carrier concentrations are studied over wide ranges of temperature (77 to 300 K), concentration (1 × 1017 to 6 × 1018cm−3), and composition (0 ≦ x ≦ 0.15). The dominating scattering mechanisms and their peculiarities in the system of solid solutions studied, are established by comparison with U(n, x, T) dependence calculated by taking into account carrier scattering by acoustic and longitudinal optical phonons, impurity ions, and piezoelectric potential. A theoretical approximation is developed in the form of a formula describing the experimental results on band gap variation with molar composition and temperature. Die molare (x) Temperatur‐ und Konzentrationsabhängigkeit der Beweglichkeit U = σR in ZnxHg1–xSe‐Legierungen mit Entartungskonzentrationen der Ladungsträger werden über große Bereiche der Temperatur (77 bis 300 K), Konzentration (1 × 1017 bis 6 × 1018cm−3) und Zu‐sammensetzung (0 ≦ x ≦ 0,15) untersucht. Die dominierenden Streumechanismen und ihre Besonderheiten im System der untersuchten Legierungen, werden durch Vergleich mit der U(n, x, T)‐Abhängigkeit bestimmt, die unter Berücksichtigung von Ladungsträgerstreuung an akustischen und longitudinalen optischen Phononen, Störstellenionen und am piezoelektrischen Potential berechnet werden. Eine theoretische Näherung wird als Formel entwickelt, die die experimentellen Ergebnisse in Abhängigkeit von der Bandgapänderung mit der molaren Zusammensetzung und Temperatur beschreibt.