Low-temperature epitaxial regrowth of ion-implanted amorphous GaAs

Glancing-angle Rutherford backscattering and channeling techniques have been used to investigate the regrowth of Ar+-ion-implanted amorphous layers on (100) GaAs. Under carefully controlled implant conditions, amorphous GaAs layers can be recrystallized epitaxially at temperatures below 250 °C. Howe...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics letters 1980-06, Vol.36 (12), p.994-996
Hauptverfasser:	Williams, J. S., Austin, M. W.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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