Design windows for low-high-low GaAs IMPATT's

An idealized device model is employed to determine the optimum material parameters for low-high-low (LHL) GaAs IMPATT's. Experimental efficiencies of 15-GHz devices indicate the model is of considerable utility for LHL GaAs IMPATT design.

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 1980-01, Vol.27 (1), p.282-286
Hauptverfasser:	Namordi, M.R., Coleman, D.J.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext bestellen
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