Far-infrared photodetectors based on graphene/black-AsP heterostructures

We develop the device models for the far-infrared interband photodetectors (IPs) with the graphene-layer (GL) sensitive elements and the black Phosphorus (b-P) or black-Arsenic (b-As) barrier layers (BLs). These far-infrared GL/BL-based IPs (GBIPs) can operate at the photon energies smaller than the...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Optics express 2020-01, Vol.28 (2), p.2480-2498
Hauptverfasser:	Ryzhii, Victor, Ryzhii, Maxim, Mitin, Vladimir, Shur, Michael S, Otsuji, Taiichi
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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