Front surface control of Cr redistribution and formation of stable Cr depletion channels in GaAs

A technique has been investigated for creating sharply defined (near-surface) ’’square-well’’ Cr-depletion channels in GaAs with subsequent stability of Cr to anneal temperatures of 850 °C. Using 100-keV B+ implants into surface-ionized GaAs, followed by annealing (capless) at temperatures...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics letters 1981-01, Vol.38 (7), p.559-561
Hauptverfasser:	Magee, T. J., Ormond, R. D., Evans, C. A., Blattner, R. J., Malbon, R. M., Day, D. S., Sankaran, R.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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