Properties of the Mo-CuInSe2 interface

Mo has been suggested and used as an ohmic back contact for CdS/p-CuInSe2 solar cells. The Mo- p-CuInSe2 interface has been studied for both polycrystalline and single- crystal CuInSe2, using electron beam induced current and capacitance-voltage techniques. The interface is found to form a Schottky...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics letters 1982-06, Vol.40 (11), p.995-997
Hauptverfasser:	Russell, P. E., Jamjoum, O., Ahrenkiel, R. K., Kazmerski, L. L., Mickelsen, R. A., Chen, W. S.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!