Model pseudopotential for elementary semiconductors

A simple model pseudopotential, particularly suitable for energy band calculations in elementary semiconductors, is presented. It includes the Veljković‐Slavić's general model pseudopotential and phenomenological correction. This correction represents a sum of spherical Bessel functions of higher order with the coefficients obtained by fitting the form factor of the pseudopotential to the experimental values of the transition energies around the energy gap. The band structures of Si, Ge, and α‐Sn are calculated and agree well with the experimental data. This pseudopotential is tested by calculating the resistivity of liquid Si, Ge, and Sn. On propose dans ce travail un simple modele de pseudopotential permettant le calcul des bandes d'énergie des semiconducteurs élémentaires. Il contient le modele général du pseudopotentiel de Velijković et de Slavić une correction phénoménologique sous forme d'une somme des fonctions spheriques be Bessel et avec les coefficients obtenus par l'accommodement des facteurs de forme de ce pseudopotentiel aux valeurs expérimentales de l'énergie de transitions autour de la bande interdite. Les bandes d'énergie de Si, de Ge et de α‐Sn sont calquées et elles s'accordent tres bien avec les données expérimentales. Ce pseudopotentiel est testé par le calcul de la résistance de Si, de Ge et de Sn dans la phase liquide.