Electrical Characteristics of the InSb Schottky Diode

The current–voltage and capacitance–voltage characteristics of Au–n‐type InSb Schottky diodes are measured at 77 K and discussed. In the sample preparation, anodic oxidation and etching in aqueous HCl are used, and the influence of annealing in H2 and N2 atmosphere is investigated. The effects of an interfacial layer between the metal and semiconductor are also discussed. The barrier height is estimated to be 98 to 149 meV. Annealing in a H2 atmosphere is found to increase positive charge within the interfacial layer, and therefore, a lower barrier height than that of a sample without annealing is obtained. It is found that annealing in a N2 atmosphere increases the negative charge within the interfacial layer and the barrier height. The interface state density is evaluated to (1.4 to 4.6) × 1012 eV−1 cm−2. Die Strom‐Spannungs‐ und Kapazitäts–Spannungs‐Charakteristiken von Au–n‐Typ‐InSb‐Schottky‐Dioden werden bei 77 K gemessen und diskutiert. Bei der Vorbereitung der Proben werden anodische Oxydation und Ätzung mit wäßriger HCl gebraucht, und der Einfluß der Temperung in H2‐ und N2‐Atmosphäre wird untersucht. Die Effekte der Grenzflächenschicht zwischen dem Metall und dem Halbleiter werden ebenfalls diskutiert. Die Höhe der Barriere wird zu 98 bis 149 meV abgeschätzt. Es wird gefunden, daß Temperung in einer H2‐Atmosphäre die positive Ladung innerhalb der Grenzflächenschicht vermehrt, also wird eine niedrigere Höhe der Barriere als in einer Probe ohne Temperung erhalten. Es wird gezeigt, daß Temperung in einer N2‐Atmosphäre die negative Ladung innerhalb der Grenzflächenschicht vermehrt und zu einer Erhöhung der Barriere führt. Die Grenzflächenzustandsdichte wird zu (1,4 bis 4,6) × 1012 eV−1 cm−2 bestimmt.