A defect etchant for single crystal GaSb

A new defect etchant for GaSb is described. Concentrated HCl and H sub 2 O sub 2 in the volume ratio 2:1 is shown to give good results. Reproducible results are given for {100} and {111} Sb surfaces with suitable surface pretreatment and constant agitation to remove gaseous products. Etching on the...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of materials science letters 1982-06, Vol.1 (6), p.253-256
Hauptverfasser:	Brown, G. T., Cockayne, B., MacEwan, W. R., Steward, V. W.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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