The effects of irradiation at cryogenic temperatures and electron irradiation on Tc and the transport properties of A-15 superconductors

The electrical resistivity ρ and T c have been measured on vapor deposited films of Nb 3Ge and Nb 3Sn subjected to α-particle and electron irradiation. Both Nb 3Sn and Nb 3Ge films held at 30 K were irradiated with 2.5 MeV α particles. T c and ρ 0, the electrical resistivity at 25 K, were measured in situ as a function of fluence without warming up the samples. In addition, Nb 3Sn films held at 50°C were irradiated with 2.0 MeV electrons. T c was found to correlate with ρ 0, which implies that T c is affected by the total defect concentration. Of particular interest is the shape of the T c vs. ρ 0 curve for low fluences. A discussion will be given of why this low fluence region is important in distinguishing between different models of T c depressions. We believe that the strong depression in T c with increasing ρ 0 (until saturation of T c ) is due to smearing of the density of states. The density of states in the damaged films was estimated from critical field data, along with measurement of ρ 0. La résistivité électrique ρ et la température de transition T c ont été mesurée sur des films déposés en phase vapeur de Nb 3 Ge et Nb 3 Sn soumis à l'irradiation par des particules α et par des électrons. Les films des deux composés maintenus à 30 K ont été irradiés par des particules de 2,5 MeV. T c et ρ 0, la résistivité électrique à 25 K, furent mesurées in situ en fonction de la fluence sans échauffer l'échantillon. En outre, les films de Nb 3 Sn maintenus à 50°C furent irradiés par des électrons de 2 MeV. T c s'est révélée dépendre de ρ 0, ce qui implique que T c est affectée par la concentration totale en défauts. Particulièrement intéressante est la forme de la courbe de T c en fonction de ρ 0, pour les fluences faibles. La raison pour laquelle cette région à fluence faible est importante est discutée en distinguant les différents modèles de diminution de T c . Nous pensons que la forte diminution de T c avec la valeur croissants de ρ 0 (jusqu'à saturation de T c ) est due à un recouvrement de la densité d'états. La densité d'états dans les films endommagés par l'irradiation a été estimée à partir de données de champ critique ainsi que de mesures de ρ 0. Der elektrische Widerstand ρ und T c wurden an aus der Gasphase abgeschiedenen Nb 3Ge- und Nb 3Sn-Schichten bestimmt, die einer α- und Elektronenbestrahlung ausgesetzt waren. Nb 3Sn- und Nb 3Ge-Schichten, beide auf 30 K gehalten, wurden mit 2,5 MeV-α-Teilchen bestrahlt. T c und ρ 0, der elektrische Wider