Electrical characterization of vapor-phase epitaxially grown large-area n-AlAs-P-GaAs heterojunctions
The heterojunction formed by n-AlAs grown by vapor-phase chloride transport on commercially obtained
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | IEEE transactions on electron devices 1977-02, Vol.24 (2), p.135-140 |
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| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | eng |
| Online-Zugang: | Volltext bestellen |
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| Zusammenfassung: | The heterojunction formed by n-AlAs grown by vapor-phase chloride transport on commercially obtained |
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| ISSN: | 0018-9383 1557-9646 |
| DOI: | 10.1109/T-ED.1977.18692 |