MIS structure GaAs-Ge3N4-Al
A low‐temperature method is described of obtaining MIS‐structures of the type Ge3N4–GaAs. Some results are given on the physical properties of the structures. Es wird eine Niedertemperaturmethode zur Erzielung von MIS‐Strukturen vom Typ Ge3N4–GaAs beschrieben. Einige Ergebnisse der physikalischen Ei...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Physica status solidi. A, Applied research Applied research, 1976-07, Vol.36 (1), p.73-79 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | eng |
| Online-Zugang: | Volltext |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Zusammenfassung: | A low‐temperature method is described of obtaining MIS‐structures of the type Ge3N4–GaAs. Some results are given on the physical properties of the structures.
Es wird eine Niedertemperaturmethode zur Erzielung von MIS‐Strukturen vom Typ Ge3N4–GaAs beschrieben. Einige Ergebnisse der physikalischen Eigenschaften dieser Strukturen werden mitgeteilt. |
|---|---|
| ISSN: | 0031-8965 1521-396X |
| DOI: | 10.1002/pssa.2210360107 |