Characteristics of the junction-gate field effect transistor with short channel length

A two-section model of a junction-gate field effect transistor with short channel length was derived. In this model, the current conducting channel is divided into a source and a drain section. The gradual channel approximation with a modification to include the hot electron effect is assumed applic...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Solid-state electronics 1971-01, Vol.14 (12), p.1307-1317
Hauptverfasser: Chiu, T.L., Ghosh, H.N.
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:A two-section model of a junction-gate field effect transistor with short channel length was derived. In this model, the current conducting channel is divided into a source and a drain section. The gradual channel approximation with a modification to include the hot electron effect is assumed applicable in the source section. The velocity saturation transport with excess carrier accumulation effect is formulated for the drain section. The normalized design curves and the characteristics of two sample devices are presented. On a évalué un modèle de transistor de jonction-déclenchement à effet de champ sur une courte longueur de bande. Dans ce modèle, le canal conducteur de courant est divisé en une source et en une section de consommation de courant. L'approximation graduelle du canal, avec une modification incluant l'effet de chaleur d'électrons, est supposée être appliquée dans la section de source. On formule le transfert de saturation rapide avec un effet de dépassement d'accumulation porteuse pour la section de consommation. On présente les courbes normalisées de dessin et les caractéristiques de deux dispositifs échantillons. Ein zweiteiliges Modell für einen Feldeffekttransistor mit einem pn- U ̈ bergang als Steuerelektrode und kurzer Kanallänge wird abgeleitet. Dabei ist der leitende Stromkanal in einen Source- und einen Drainbereich eingeteilt. Für den Sourcebereich wird ein Stufenmodell mit Berücksichtigung des Effektes heißer Elektronen angenommen. Eine Geschwindigkeitssättigung mit einer Trägeranreicherung wird zur Beschreibung des Drainbereichs verwendet. Normierte Kurven für Entwurf und charakteristik zweier Bauelementbeispiele werden angegeben.
ISSN:0038-1101
1879-2405
DOI:10.1016/0038-1101(71)90120-1