Correction to Improved Contacts to MoS2 Transistors by Ultra-High Vacuum Metal Deposition

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Nano letters 2017-04, Vol.17 (4), p.2739-2739
Hauptverfasser:	English, Chris D, Shine, Gautam, Dorgan, Vincent E, Saraswat, Krishna C, Pop, Eric
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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