Tunneling escape rate of electrons from quantum well in double-barrier heterostructures

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Physical review letters 1987-11, Vol.59 (20), p.2356-2359
Hauptverfasser:	TSUCHIYA, M, MATSUSUE, T, SAKAKI, H
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Condensed matter: electronic structure, electrical, magnetic, and optical properties Electronic structure and electrical properties of surfaces, interfaces, thin films and low-dimensional structures Electronic transport in interface structures Exact sciences and technology Physics
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