Process-induced and gold acceptor defects in silicon

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Physical review. B, Condensed matter Condensed matter, 1987-11, Vol.36 (15), p.8049-8062
Hauptverfasser:	MESLI, A, COURCELLE, E, ZUNDEL, T, SIFFERT, P
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Charge carriers: generation, recombination, lifetime, and trapping Condensed matter: electronic structure, electrical, magnetic, and optical properties Conductivity phenomena in semiconductors and insulators Electronic transport in condensed matter Exact sciences and technology Physics
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