Fundamental role of creation and activation in radiation-induced defect production in high-purity amorphous SiO2

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Physical review letters 1996-04, Vol.76 (16), p.2926-2929
Hauptverfasser:	Mashkov, VA, Austin, WR, Zhang, L, Leisure, RG
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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