Model based on trap-assisted tunneling for two-level current fluctuations in submicrometer metal-silicon-dioxide-silicon diodes

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Physical review. B, Condensed matter Condensed matter, 1990-05, Vol.41 (14), p.9836-9842
Hauptverfasser:	ANDERSSON, M. O, XIAO, Z, NORRMAN, S, ENGSTROÊM, O
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Diodes Electronics Exact sciences and technology Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices
Online-Zugang:	Volltext
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