Mechanisms of equilibrium and nonequilibrium diffusion of dopants in silicon

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Physical review letters 1989-02, Vol.62 (9), p.1049-1052
Hauptverfasser:	NICHOLS, C. S, VAN DE WALLE, C. G, PANTELIDES, S. T
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Condensed matter: structure, mechanical and thermal properties Diffusion in solids Diffusion of impurities Exact sciences and technology Physics Transport properties of condensed matter (nonelectronic)
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