Limiting thickness hepi for epitaxial growth and room-temperature Si growth on Si(100)

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Physical review letters 1990-09, Vol.65 (10), p.1227-1230
Hauptverfasser: EAGLESHAM, D. J, GOSSMANN, H.-J, CERULLO, M
Format: Artikel
Sprache:eng
Schlagworte:
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0031-9007
1079-7114
DOI:10.1103/PhysRevLett.65.1227