Wigner-function model of a resonant-tunneling semiconductor device

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Physical review. B, Condensed matter Condensed matter, 1987-07, Vol.36 (3), p.1570-1580
1. Verfasser: FRENSLEY, W. R
Format: Artikel
Sprache:eng
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0163-1829
1095-3795
DOI:10.1103/PhysRevB.36.1570