Different PIn antisites in n- and p-type InP

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Physical review. B, Condensed matter Condensed matter, 1993-12, Vol.48 (23), p.17092-17105
Hauptverfasser:	SUN, H. J, GISLASON, H. P, RONG, C. F, WATKINS, G. D
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Condensed matter: electronic structure, electrical, magnetic, and optical properties Electron states Exact sciences and technology Iii-v semiconductors Impurity and defect levels Magnetic double resonances and cross effects Magnetic resonances and relaxations in condensed matter, mössbauer effect Physics
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