$Reflectance anisotropy spectroscopy and reflection high-energy electron diffraction of submonolayer coverages of Si grown on GaAs(001) by molecular-beam epitaxy$

Reflectance anisotropy spectroscopy and reflection high-energy electron diffraction of submonolayer coverages of Si grown on GaAs(001) by molecular-beam epitaxy

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Physical review. B, Condensed matter Condensed matter, 1995-02, Vol.51 (7), p.4691-4694
Hauptverfasser:	Woolf, DA, Rose, KC, Rumberg, J, Westwood, DI, Reinhardt, F, Morris, SJ, Richter, W, Williams, RH
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:	0163-1829 1095-3795
DOI:	10.1103/PhysRevB.51.4691