Versatile p-Type Chemical Doping to Achieve Ideal Flexible Graphene Electrodes

We report effective solution‐processed chemical p‐type doping of graphene using trifluoromethanesulfonic acid (CF3SO3H, TFMS), that can provide essential requirements to approach an ideal flexible graphene anode for practical applications: i) high optical transmittance, ii) low sheet resistance (70 % decrease), iii) high work function (0.83 eV increase), iv) smooth surface, and iv) air‐stability at the same time. The TFMS‐doped graphene formed nearly ohmic contact with a conventional organic hole transporting layer, and a green phosphorescent organic light‐emitting diode with the TFMS‐doped graphene anode showed lower operating voltage, and higher device efficiencies (104.1 cd A−1, 80.7 lm W−1) than those with conventional ITO (84.8 cd A−1, 73.8 lm W−1). Anodenoptimierung: Chemische p‐Dotierung von Graphen mit Trifluormethansulfonsäure (TFMS) ergab eine flexible Graphenanode mit einem um 70 % reduzierten Schichtwiderstand und einer um 0.83 eV erhöhten Austrittsarbeit bei exzellenter Luftstabilität. Eine mit der TFMS‐dotierten Graphenanode hergestellte OLED zeigte eine niedrigere Arbeitsspannung und höhere Lichtausbeute als solche mit konventionellen ITO‐Anoden.