Dynamic threshold voltage operation in Si and SiGe source junctionless tunnel field effect transistor

We propose a dynamic threshold voltage j unctionless tunnel FET (DT-JLTFET) in wnlcn me mresnolu voltage can be dynamically adjusted, resulting in higher ON-current. Through 2D numerical simulations, it is presented that the threshold voltage in the DT-JLTFET can be adjusted by applying a voltage to...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Journal of semiconductors 2014-11, Vol.35 (11), p.32-39
Hauptverfasser: Basak, Shibir, Asthana, Pranav Kumar, Goswami, Yogesh, Ghosh, Bahniman
Format: Artikel
Sprache:eng
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