Dynamic threshold voltage operation in Si and SiGe source junctionless tunnel field effect transistor
We propose a dynamic threshold voltage j unctionless tunnel FET (DT-JLTFET) in wnlcn me mresnolu voltage can be dynamically adjusted, resulting in higher ON-current. Through 2D numerical simulations, it is presented that the threshold voltage in the DT-JLTFET can be adjusted by applying a voltage to...
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Veröffentlicht in: | Journal of semiconductors 2014-11, Vol.35 (11), p.32-39 |
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Hauptverfasser: | , , , |
Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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Online-Zugang: | Volltext |
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