An N2-compatible Ni0 Metal–Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) Precursor

An N2-compatible Ni0 Metal–Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) Precursor

We report the first example of a Ni0 precursor that provides a contamination-free (

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Chemistry letters 2015-01, Vol.44 (6), p.794-796
Hauptverfasser: Tran, Viet-Ha, Yatabe, Takeshi, Matsumoto, Takahiro, Nakai, Hidetaka, Suzuki, Kazuharu, Enomoto, Takao, Ogo, Seiji
Format: Artikel
Sprache:eng
Schlagworte:
Carriers
Chemical vapor deposition
Contamination
Nickel
Physical properties
Precursors
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:We report the first example of a Ni0 precursor that provides a contamination-free (
ISSN:0366-7022
1348-0715
DOI:10.1246/cl.150155