$Structural Mapping of Functional Ge Layers Grown on Graded SiGe Buffers for sub-10 nm CMOS Applications Using Advanced X‑ray Nanodiffraction$

Structural Mapping of Functional Ge Layers Grown on Graded SiGe Buffers for sub-10 nm CMOS Applications Using Advanced X‑ray Nanodiffraction

We report a detailed advanced materials characterization study on 40 nm thick strained germanium (Ge) layers integrated on 300 mm Si(001) wafers via strain-relaxed silicon–germanium (SiGe) buffer layers. Fast-scanning X-ray microscopy is used to directly image structural inhomogeneities, lattice til...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	ACS applied materials & interfaces 2015-12, Vol.7 (48), p.26696-26700
Hauptverfasser:	Richard, Marie-Ingrid, Zoellner, Marvin H, Chahine, Gilbert A, Zaumseil, Peter, Capellini, Giovanni, Häberlen, Maik, Storck, Peter, Schülli, Tobias U, Schroeder, Thomas
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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