Fully-integrated 32 dBm, 1.5-2.9 GHz SiGe-bipolar power amplifier using power-combining transformer
A fully-integrated power amplifier for 1.5-2.9 GHz was realised, in a 28 GHz-f^sub T^ SiGe-bipolar technology. No external components are required, owing to the novel power-combining transformer structure. An output power of 32.3 dBm with a power added efficiency over 30% is achieved at 3.5 V.
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Veröffentlicht in: | Electronics letters 2005-08, Vol.41 (16), p.1-1 |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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