High transconductance enhancement-mode AlGaN/GaN HEMTs on SiC substrate

Using an inductively-coupled-plasma reactive ion etching (ICP-RIE), recessed 1 mm gate-length enhancement-mode (E-mode) AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) were fabricated. These 1 mm gate-length devices exhibited maximum drain current density of 470 mA/mm, extrinsic transconductanc...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Electronics letters 2003-11, Vol.39 (24), p.1-1
Hauptverfasser:	Kumar, V, Kuliev, A, Tanaka, T, Otoki, Y, Adesida, I
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Aluminum gallium nitrides Devices Drains Gallium nitrides High electron mobility transistors Semiconductor devices Transconductance Unity
Online-Zugang:	Volltext
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