Forward current transport mechanisms in Ni/Au-AlGaN/GaN Schottky diodes

The forward current transport mechanisms in Ni/Au-AlGaN/GaN Schottky diodes are studied by temperature dependent current-voltage (T-I-V) measurements from 298 to 473 K. The zero-bias barrier height qϕBn and ideality factor values determined based on the conventional thermionic-emission (TE) model ar...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of applied physics 2013-10, Vol.114 (14)
Hauptverfasser:	Yan, Dawei, Jiao, Jinping, Ren, Jian, Yang, Guofeng, Gu, Xiaofeng
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Density
Online-Zugang:	Volltext
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