EOT Scaling of rm TiO 2 / rm Al 2 rm O 3 on Germanium pMOSFETs and Impact of Gate Metal Selection

rm TiO 2 / rm Al 2 rm O 3 / rm Ge gate stacks have promising characteristics for future germanium-channel high-performance MOSFETs. In this letter, rm TiO 2 / rm Al 2 rm O 3 bilayer high-k dielectrics with EOT 0.65 nm are demonstrated and used in Ge pMOSFETs for the first time, giving low subthresho...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2013-06, Vol.34 (6), p.732-734
Hauptverfasser:	Zhang, Liangliang, Gunji, Marika, Thombare, Shruti, McIntyre, Paul C
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Aluminum Devices Dielectrics Gates Germanium MOSFETs Stacks Titanium dioxide
Online-Zugang:	Volltext
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