X-Ray Diffractometry and Raman Spectroscopy Investigation of Irradiated Layered III-VI Crystals
The present results of investigations of the influence of irradiation on layered n-InSe, p-InSe, and p-GaSe semiconductors. Two types of irradiation are considered： （1） the bremsstrahlung ＂/-quanta with effective energy of 3MeV and the irradiation dose ranging from 0.14 to 140 kGy and （2） 12 MeV ele...
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| Veröffentlicht in: | Journal of materials science and engineering. A 2012-07, Vol.2 (7), p.537-543 |
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| Hauptverfasser: | , , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | chi ; eng |
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| Online-Zugang: | Volltext |
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