Andreev reflection of helical edge modes in InAs/GaSb quantum spin Hall insulator
We present an experimental study of S-N-S junctions, with N being a quantum spin Hall insulator made of InAs/GaSb. A front gate is used to vary the Fermi level into the minigap, where helical edge modes exist [Phys. Rev. Lett. 107, 136603 (2011)]. In this regime we observe a ~2e(2)/h Andreev conduct...
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| Veröffentlicht in: | Physical review letters 2012-11, Vol.109 (18), p.186603-186603, Article 186603 |
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| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | eng |
| Online-Zugang: | Volltext |
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