1/f noise in proton-irradiated SiGe HBTs
Investigates the impact of proton irradiation on the 1/f noise in ultra-high-voltage chemical-vapor deposition SiGe heterojunction bipolar transistors. The relative degradation of 1/f noise shows a strong dependence on device geometry. Both the geometry dependence and the bias dependence of 1/f nois...
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Veröffentlicht in: | IEEE transactions on nuclear science 2001-12, Vol.48 (6), p.2244-2249 |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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