1/f noise in proton-irradiated SiGe HBTs

Investigates the impact of proton irradiation on the 1/f noise in ultra-high-voltage chemical-vapor deposition SiGe heterojunction bipolar transistors. The relative degradation of 1/f noise shows a strong dependence on device geometry. Both the geometry dependence and the bias dependence of 1/f nois...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:IEEE transactions on nuclear science 2001-12, Vol.48 (6), p.2244-2249
Hauptverfasser: Zhenrong Jin, Guofu Niu, Cressler, J.D., Marshall, C.J., Marshall, P.W., Kim, H.S., Reed, R.A., Harame, D.L.
Format: Artikel
Sprache:eng
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