A multigigabit DRAM technology with 6F2 open-bitline cell, distributed overdriven sensing, and stacked-flash fuse
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Veröffentlicht in: | IEEE journal of solid-state circuits 2001-11, Vol.36 (11), p.1721 |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
Online-Zugang: | Volltext |
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ISSN: | 0018-9200 1558-173X |
DOI: | 10.1109/4.962294 |