A multigigabit DRAM technology with 6F2 open-bitline cell, distributed overdriven sensing, and stacked-flash fuse

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:IEEE journal of solid-state circuits 2001-11, Vol.36 (11), p.1721
Hauptverfasser: Takahashi, T, Sekiguchi, T, Takemura, R, Narui, S, Fujisawa, H, Miyatake, S, Morino, M, Arai, K, Yamada, S, Shukuri, S, Nakamura, M, Tadaki, Y, Kajigaya, K, Kimura, K, Itoh, K
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0018-9200
1558-173X
DOI:10.1109/4.962294