One transistor ferroelectric memory with Pt/Pb5Ge3 O11/Ir/poly-Si/SiO2/Si gate-stack

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2002-06, Vol.23 (6), p.339
Hauptverfasser:	Li, Tingkai, Hsu, Sheng Teng, Ulrich, B.D, Stecker, L, Evans, D.R, Lee, J.J
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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